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Siehe Technische Spezifikationen

STPSC2H12D

Power Schottky silicon carbide diode designed to handle high voltages up to 1200 V

Hersteller:

Stmicroelectronics
Herstellerteil #:

STPSC2H12D
Datenblatt:

STPSC2H12D Datenblatt (PDF)
ECCN US:

EAR99
ECCN EU:

NEC
Packing Type:

Tube
Grade:

Industrial
EDA/CAD Modelle:

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STPSC2H12D Allgemeine Beschreibung

The SiC diode, available in TO-220AC and DPAK HV, is an ultrahigh performance power Schottky rectifier. It is manufactured using a silicon carbide substrate. The wide band-gap material allows the design of a low VFSchottky diode structure with a 1200 V rating. Due to the Schottky construction, no recovery is shown at turn-off and ringing patterns are negligible. The minimal capacitive turn-off behavior is independent of temperature.Especially suited for use in PFC and secondary side applications, this ST SiC diode will boost the performance in hard switching conditions. This rectifier will enhance the performance of the targeted application. Its high forward surge capability ensures a good robustness during transient phases.

Hauptmerkmale

No or negligible reverse recovery
Switching behavior independent of temperature
Robust high voltage periphery
Operating T_j from -40 °C to 175 °C
Low V_F
ECOPACK^®2 compliant

Spezifikationen

ECCN US	EAR99	ECCN EU	NEC
Packing Type	Tube	Grade	Industrial

Servicerichtlinien und andere

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