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Siehe Technische Spezifikationen

TC58BVG2S0HBAI4 +BOM

EEPROM CMOS NAND 4 Gbit at 3.3V

Hersteller:

Kioxia America, Inc.
Herstellerteil #:

TC58BVG2S0HBAI4
Datenblatt:

TC58BVG2S0HBAI4 Datenblatt (PDF)
Series:

Benand™
Programmabe:

Not Verified
Memory Type:

Non-Volatile
Memory Format:

FLASH
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an TC58BVG2S0HBAI4

TC58BVG2S0HBAI4 Allgemeine Beschreibung

The TC58BVG2S0HBAI4 from Toshiba Memory Corporation represents a significant advancement in NAND flash memory technology. With its 64-layer 3D architecture and high-density storage capacity of 512 gigabits, this memory device is poised to revolutionize the storage industry. Its fast read and write speeds make it an ideal choice for solid-state drives and memory cards, ensuring seamless performance for a wide range of applications. The incorporation of advanced error correction capabilities further cements its reliability, guaranteeing the integrity of data stored on the device

Spezifikationen

Series	Benand™	Programmabe	Not Verified
Memory Type	Non-Volatile	Memory Format	FLASH
Technology	FLASH - NAND (SLC)	Memory Size	4Gbit
Memory Organization	512M x 8	Memory Interface	Parallel
Write Cycle Time - Word, Page	25ns	Access Time	25 ns
Voltage - Supply	2.7V ~ 3.6V	Operating Temperature	-40°C ~ 85°C (TA)
Mounting Type	Surface Mount	Base Product Number	TC58BVG2

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