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Siehe Technische Spezifikationen

TC58BYG1S3HBAI6 +BOM

High-performance NAND Flash memory chip designed for industrial temperature applications, offering reliable data storage."

Hersteller:

Kioxia America, Inc.
Herstellerteil #:

TC58BYG1S3HBAI6
Datenblatt:

TC58BYG1S3HBAI6 Datenblatt (PDF)
Series:

Benand™
Programmabe:

Not Verified
Memory Type:

Non-Volatile
Memory Format:

FLASH
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an TC58BYG1S3HBAI6

TC58BYG1S3HBAI6 Allgemeine Beschreibung

FLASH - NAND (SLC) Memory IC 2Gbit Parallel 25 ns 67-VFBGA (6.5x8)

Spezifikationen

Series	Benand™	Programmabe	Not Verified
Memory Type	Non-Volatile	Memory Format	FLASH
Technology	FLASH - NAND (SLC)	Memory Size	2Gbit
Memory Organization	256M x 8	Memory Interface	Parallel
Write Cycle Time - Word, Page	25ns	Access Time	25 ns
Voltage - Supply	1.7V ~ 1.95V	Operating Temperature	-40°C ~ 85°C (TA)
Mounting Type	Surface Mount	Base Product Number	TC58BYG1

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