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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

TC58NVG0S3HTA00 +BOM

EEPROM TSOPI-48 RoHS

Hersteller:

Kioxia
Herstellerteil #:

TC58NVG0S3HTA00
Datenblatt:

TC58NVG0S3HTA00 Datenblatt (PDF)
Mounting Style:

SMD/SMT
Memory Size:

1 Gbit
Interface Type:

Parallel
Organization:

128 M x 8
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an TC58NVG0S3HTA00

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Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

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TC58NVG0S3HTA00 Allgemeine Beschreibung

The TC58NVG0S3HTA00 NAND Flash memory chip by Toshiba sets a new standard in storage technology with its 256 gigabit capacity and Toggle2.0 interface. From solid-state drives to memory cards, this chip is designed to meet the high-performance requirements of modern devices. Powered by Triple-Level Cell technology, it offers increased storage density and cost-effectiveness compared to traditional NAND Flash memory

Hauptmerkmale

High-speed storage for demanding applications
Improved data transfer rate with Toggle DDR 2 interface
Fast and efficient read/write operations

Reliable flash memory technology
Enhanced endurance and high reliability
Low power consumption and optimized performance

Anwendung

Superior capacity for SSD drives
Versatile for networking devices
Exceptional performance in all applications

Spezifikationen

Product Category	NAND Flash	Mounting Style	SMD/SMT
Memory Size	1 Gbit	Interface Type	Parallel
Organization	128 M x 8	Timing Type	Synchronous
Data Bus Width	8 bit	Supply Voltage - Min	2.7 V
Supply Voltage - Max	3.6 V	Supply Current - Max	30 mA
Minimum Operating Temperature	0 C	Maximum Operating Temperature	+ 70 C
Memory Type	NAND	Moisture Sensitive	Yes
Product Type	NAND Flash	Factory Pack Quantity	96
Subcategory	Memory & Data Storage	Unit Weight	0.018695 oz

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

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