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Siehe Technische Spezifikationen

TC58NVG1S3ETA00 +BOM

SLC NAND storage solution with 43nm technology for high performance

Hersteller:

Kioxia America, Inc.
Herstellerteil #:

TC58NVG1S3ETA00
Datenblatt:

TC58NVG1S3ETA00 Datenblatt (PDF)
Programmabe:

Verified
Memory Type:

Non-Volatile
Memory Format:

FLASH
Technology:

FLASH - NAND (SLC)
EDA/CAD Modelle:

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TC58NVG1S3ETA00 Allgemeine Beschreibung

Designed for high performance and reliability, the TC58NVG1S3ETA00 NAND Flash memory chip is a top choice for various electronic devices. With capacities ranging from 1GB to 128GB, it offers flexibility and versatility to meet different storage needs. Its standard NAND Flash interface ensures seamless data transfer across devices, while its advanced technology provides efficient data storage solutions. The high-speed data transfer rates of this memory chip enable quick read and write operations, making it perfect for data-intensive applications. Its robust features ensure data integrity and longevity, crucial for maintaining data security and preventing data loss. With a high endurance level, the TC58NVG1S3ETA00 is built to endure numerous read and write cycles, ensuring prolonged usage without significant degradation

Hauptmerkmale

Organization x8 Memory cell array 2112 × 128K × 8 Register 2112 × 8 Page size 2112 bytes Block size (128K + 4K) bytes

Spezifikationen

Programmabe	Verified	Memory Type	Non-Volatile
Memory Format	FLASH	Technology	FLASH - NAND (SLC)
Memory Size	2Gbit	Memory Organization	256M x 8
Memory Interface	Parallel	Clock Frequency	-
Write Cycle Time - Word, Page	25ns	Access Time	25 ns
Voltage - Supply	2.7V ~ 3.6V	Operating Temperature	0°C ~ 70°C (TA)
Mounting Type	Surface Mount

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