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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

TD62783AP +BOM

High-performance transistor for demanding applications

Hersteller:

Toshiba
Herstellerteil #:

TD62783AP
Datenblatt:

TD62783AP Datenblatt (PDF)
ECCN (US):

EAR99
Automotive:

No
PPAP:

No
Type:

NPN|PNP
EDA/CAD Modelle:

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Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

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Hauptmerkmale

High output voltage: VCC = 50 V (min)
Output current (single output): IOUT = −500 mA (min)
Output clamp diodes
Single supply voltage
Input compatible with various types of logic
Package type-AP: DIP-18 pin
Package type-AF: SOP-18 pin

Spezifikationen

ECCN (US)	EAR99	Part Status	Obsolete
Automotive	No	PPAP	No
Type	NPN\|PNP	Configuration	Octal Common Emitter
Number of Elements per Chip	8	Maximum Collector-Emitter Voltage (V)	50
Process Technology	Bipolar	Maximum Continuous DC Collector Current (A)	0.5
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)	1.8@100mA\|1.9@225mA\|2@350mA	Maximum Power Dissipation (mW)	1470
Minimum Operating Temperature (°C)	-40	Maximum Operating Temperature (°C)	85
Mounting	Through Hole	PCB changed	18
Pin Count	18	Lead Shape	Through Hole

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

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