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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

TEFT4300 +BOM

Optical sensor for infrared detection, compact and reliable

Hersteller:

Vishay
Herstellerteil #:

TEFT4300
Datenblatt:

TEFT4300 Datenblatt (PDF)
Product:

Phototransistors
Mounting Style:

Through Hole
Peak Wavelength:

925 nm
Maximum On-State Collector Current:

50 mA

Email: [email protected]

Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

Tel: +852 95804164

TEFT4300 Allgemeine Beschreibung

The TEFT4300 is a photo transistor manufactured by Vishay. It utilizes an NPN configuration and has a peak wavelength of 925nm. Housed in a T-1 package, this product offers a viewing angle of 30° and has a power consumption of 100mW. It is equipped with 2 pins and is not compliant with RoHS standards. Additionally, the TEFT4300 does not have automotive qualification and does not specify a moisture sensitivity level (MSL)

Hauptmerkmale

Package type: leaded

Package form: T-1

Dimensions (in mm): Ø 3

High radiant sensitivity

Daylight blocking filter matched with 940 nm emitters

Fast response times

Angle of half sensitivity: ϕ = ± 30°

Package matched with IR emitter series TSUS4300 and TSAL4400

Anwendung

Switches and sensors
Counters for data
Sorters for efficiency

Spezifikationen

Product Category	Phototransistors	Product	Phototransistors
Mounting Style	Through Hole	Peak Wavelength	925 nm
Maximum On-State Collector Current	50 mA	Collector- Emitter Voltage VCEO Max	70 V
Collector-Emitter Breakdown Voltage	70 V	Collector-Emitter Saturation Voltage	300 mV
Dark Current	200 nA	Pd - Power Dissipation	100 mW
Minimum Operating Temperature	- 40 C	Maximum Operating Temperature	+ 100 C
Half Intensity Angle Degrees	30 deg	Height	4.5 mm
Length	3.2 mm	Lens Color/Style	Black
Light Current	3.2 mA	Product Type	Phototransistors
Factory Pack Quantity	5000	Subcategory	Optical Detectors & Sensors
Type	IR Chip	Wavelength	925 nm
Width	3.9 mm	Unit Weight	0.005572 oz

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