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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

TEMT1000 +BOM

Silicon NPN Phototransistor, RoHS-Compliant

Hersteller:

VISHAY
Herstellerteil #:

TEMT1000
Datenblatt:

TEMT1000 Datenblatt (PDF)
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):

70 V
Current - Collector (Ic) (Max):

50 mA
Current - Dark (Id) (Max):

200 nA
Wavelength:

950nm
EDA/CAD Modelle:

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TEMT1000 Allgemeine Beschreibung

Phototransistors 950nm Top View 2-SMD, Z-Bend

Hauptmerkmale

Package type: surface-mount

Package form: GW, RGW, yoke, axial

Dimensions (L x W x H in mm): 2.5 x 2 x 2.7

High radiant sensitivity

Daylight blocking filter matched with 870 nm to 950 nm IR emitters

Fast response times

Angle of half sensitivity: ϕ = ± 15°

Package matches with IR emitter series TSML1000

Floor life: 168 h, MSL 3, according to J-STD-020

Anwendung

oDetector in electronic control and drive circuits
oIR detector for daylight application
oPhoto interrupters
oCounter
oEncoder

Spezifikationen

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	70 V	Current - Collector (Ic) (Max)	50 mA
Current - Dark (Id) (Max)	200 nA	Wavelength	950nm
Viewing Angle	30°	Power - Max	100 mW
Mounting Type	Surface Mount	Orientation	Top View
Operating Temperature	-40°C ~ 85°C (TA)	Product Category	Phototransistors
Product	Phototransistors	Mounting Style	SMD/SMT
Peak Wavelength	950 nm	Operating Supply Voltage	5 V
Maximum On-State Collector Current	100 mA	Collector- Emitter Voltage VCEO Max	70 V
Collector-Emitter Breakdown Voltage	70 V	Collector-Emitter Saturation Voltage	300 mV
Dark Current	200 nA	Rise Time	2 us
Fall Time	2.3 us	Pd - Power Dissipation	100 mW
Minimum Operating Temperature	- 40 C	Maximum Operating Temperature	+ 85 C
Series	TEMT	Half Intensity Angle Degrees	15 deg
Height	2.7 mm	Length	2.5 mm
Lens Color/Style	Black	Light Current	7 mA
Moisture Sensitive	Yes	Product Type	Phototransistors
Factory Pack Quantity	1000	Subcategory	Optical Detectors & Sensors
Type	IR Chip	Width	2 mm
Unit Weight	0.007729 oz

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