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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

TLV2170IDR +BOM

Dual, 36-V, 1.2-MHz, low-power operational amplifier for cost-sensitive applications

Hersteller:

TI
Herstellerteil #:

TLV2170IDR
Datenblatt:

TLV2170IDR Datenblatt (PDF)
Number Of Channels:

2
Total Supply Voltage (+5 V = 5, ±5 V = 10) (max) (V):

36
Total Supply Voltage (+5 V = 5, ±5 V = 10) (min) (V):

2.7
Rail-to-rail:

In to V-, Out
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an TLV2170IDR

TLV2170IDR Allgemeine Beschreibung

In addition to its impressive performance metrics, the TLV2170IDR is designed to operate in harsh environments, with a wide temperature range of -40°C to 125°C. This makes it a durable and reliable choice for applications that require operational amplifiers to function in challenging conditions

Hauptmerkmale

This is a low-noise op-amp from TI
Wide bandwidth: 16 MHz
Suitable for high-speed apps

Spezifikationen

Number of channels	2	Total supply voltage (+5 V = 5, ±5 V = 10) (max) (V)	36
Total supply voltage (+5 V = 5, ±5 V = 10) (min) (V)	2.7	Rail-to-rail	In to V-, Out
GBW (typ) (MHz)	1.2	Slew rate (typ) (V/µs)	0.4
Vos (offset voltage at 25°C) (max) (mV)	2.5	Iq per channel (typ) (mA)	0.125
Vn at 1 kHz (typ) (nV√Hz)	22	Rating	Catalog
Operating temperature range (°C)	-40 to 125	Offset drift (typ) (µV/°C)	2
Features	Cost Optimized, EMI Hardened	CMRR (typ) (dB)	110
Iout (typ) (A)	0.017	Architecture	CMOS
Input common mode headroom (to negative supply) (typ) (V)	-0.1	Input common mode headroom (to positive supply) (typ) (V)	-2
Output swing headroom (to negative supply) (typ) (V)	0.03	Output swing headroom (to positive supply) (typ) (V)	-0.05

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