Diese Website verwendet Cookies. Durch die Nutzung dieser Website stimmen Sie der Verwendung von Cookies zu. Weitere Informationen finden Sie in unseren Privacy Policy.

Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

TPN11006PL

Trans MOSFET N-CH Si 60V 26A 8-Pin TSON Advance

Hersteller:

Toshiba Semiconductor
Herstellerteil #:

TPN11006PL
Datenblatt:

TPN11006PL Datenblatt (PDF)
Paket/Koffer:

TSONAdvance
Lebenszyklus:

Active
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an TPN11006PL

Email: [email protected]

Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

Tel: +852 95804164

Hauptmerkmale

Characteristics
Symbol
Condition
Value
Unit
Gate threshold voltage (Max)
V
th
2.5
V
Drain-Source on-resistance (Max)
R
DS(ON)
GS
18.1
mΩ
Drain-Source on-resistance (Max)
R
DS(ON)
GS
11.4
mΩ
Input capacitance (Typ.)
C
iss
1250
pF
Total gate charge (Typ.)
Q
g
V
GS
17
nC

Spezifikationen

Product Category:

Toshiba

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

Zahlung

Bezahlverfahren

TT/Überweisung

Paypal

Western Union

Geldgramm

Für alternative Zahlungskanäle kontaktieren Sie uns bitte unter:

[email protected]

Versand & Verpackung

Versandart

Fedex

UPS

DHL

NTN

Verpackung

AVAQ bestimmt und verpackt alle Geräte auf der Grundlage der Schutzanforderungen gegen elektrostatische Entladung (ESD) und Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL)..