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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

TPS51100DGQR +BOM

3A Source/Sink DDR terminator Regulator

Hersteller:

TI
Herstellerteil #:

TPS51100DGQR
Datenblatt:

TPS51100DGQR Datenblatt (PDF)
Vin (min) (V):

1.2
Vin (max) (V):

3.6
Rating:

Catalog
Iq (typ) (mA):

0.5
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an TPS51100DGQR

TPS51100DGQR Allgemeine Beschreibung

Designed to meet the demands of modern power management systems, the TPS51100DGQR combines advanced functionality with ease of integration. Its dual N-channel MOSFET power stages enable efficient power conversion across a wide input voltage range, while the integrated LDO provides power for logic circuits, simplifying overall system design. The controller's small form factor and comprehensive protection features make it a practical choice for a variety of applications requiring reliable and efficient power regulation

Hauptmerkmale

Advanced Thermal Shutdown Protection
Robust Overvoltage Protection Scheme
Excellent EMI Filtering Performance

Anwendung

Industrial
Power Management

Spezifikationen

Vin (min) (V)	1.2	Vin (max) (V)	3.6
Rating	Catalog	Iq (typ) (mA)	0.5
Features	S3/S5 Support	Operating temperature range (°C)	-40 to 85
Product Category	Power Management Specialized - PMIC	Series	TPS51100
Type	Voltage Regulator, Multiple Outputs	Mounting Style	SMD/SMT
Output Current	3 A	Input Voltage Range	1.2 V to 3.6 V
Output Voltage Range	600 mV	Minimum Operating Temperature	- 40 C
Maximum Operating Temperature	+ 85 C	Input Current	500 uA
Development Kit	TPS51100EVM-001	Height	1.02 mm
Input Voltage, Max	3.6 V	Input Voltage, Min	1.2 V
Length	3 mm	Maximum Output Voltage	600 mV
Operating Supply Current	500 uA	Operating Supply Voltage	1.2 V to 3.6 V
Product Type	Power Management Specialized - PMIC	Factory Pack Quantity	2500
Subcategory	PMIC - Power Management ICs	Width	3 mm
Unit Weight	0.000829 oz

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