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Siehe Technische Spezifikationen

TSFF5200 +BOM

High-performance infrared LED for precise application

Hersteller:

TELEFUNKEN MICROELECTRONICS GMBH
Herstellerteil #:

TSFF5200
Datenblatt:

TSFF5200 Datenblatt (PDF)
Part Life Cycle Code:

Transferred
HTS Code:

8541.40.20.00
Forward Current-Max:

0.1 A
Forward Voltage-Max:

1.6 V

TSFF5200 Allgemeine Beschreibung

DESCRIPTIONTSFF5210 is an infrared, 870 nm emitting diode in GaAlAs double hetero (DH) technology with high radiant power and high speed, molded in a clear, untinted plastic package.FEATURES• Package type: leaded• Package form: T-1 3/4• Dimensions (in mm): Ø 5• Leads with stand-off• Peak wavelength: λp = 870 nm• High reliability• High radiant power• High radiant intensity• Angle of half intensity: ϕ = ± 10°• Low forward voltage• Suitable for high pulse current operation• High modulation bandwidth: fc = 24 MHz• Good spectral matching with Si photodetectors• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC and in accordance to WEEE 2002/96/ECAPPLICATIONS• Infrared video data transmission between camcorder and TV set• Free air data transmission systems with high modulation frequencies or high data transmission rate requirements• Smoke-automatic fire detectors

Spezifikationen

Part Life Cycle Code	Transferred	Reach Compliance Code
HTS Code	8541.40.20.00	Forward Current-Max	0.1 A
Forward Voltage-Max	1.6 V	JESD-609 Code	e0
Mounting Feature	THROUGH HOLE MOUNT	Operating Temperature-Max	85 °C
Operating Temperature-Min	-25 °C	Peak Wavelength	870 nm
Reverse Voltage-Max	5 V	Semiconductor Material	GaAlAs
Spectral Bandwidth	4e-8 m	Surface Mount	NO
Terminal Finish	Tin/Lead (Sn/Pb)	Viewing Angle	20 deg

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