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Siehe Technische Spezifikationen

TTB6C135N16LOFHOSA1 +BOM

High-voltage, high-current thyristor module for reliable power contro

Hersteller:

Infineon Technologies Corporation
Herstellerteil #:

TTB6C135N16LOFHOSA1
Datenblatt:

TTB6C135N16LOFHOSA1 Datenblatt (PDF)
Structure:

Bridge, 3-Phase - All SCRs
Number Of SCRs, Diodes:

6 SCRs
Voltage - Off State:

1.6 kV
Current - On State (It (AV)) (Max):

173 A
EDA/CAD Modelle:

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TTB6C135N16LOFHOSA1 Allgemeine Beschreibung

SCR Module 1.6 kV 100 A Bridge, 3-Phase - All SCRs Chassis Mount Module

Infineon Technologies Corporation Inventar

Hauptmerkmale

Modules with screwable power terminals
Concept designed for replacing 3 x 20mm SCR / diode half bridge modules
Housing concept matches the 62 mm IGBT modules

Infineon Technologies Corporation Originalbestand

Spezifikationen

Category	Discrete Semiconductor ProductsThyristorsSCRs - Modules	Series	-
Structure	Bridge, 3-Phase - All SCRs	Number of SCRs, Diodes	6 SCRs
Voltage - Off State	1.6 kV	Current - On State (It (AV)) (Max)	173 A
Current - On State (It (RMS)) (Max)	100 A	Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max)	2.5 V
Current - Gate Trigger (Igt) (Max)	150 mA	Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)	1000A @ 50Hz
Current - Hold (Ih) (Max)	200 mA	Operating Temperature	-40°C ~ 125°C
Mounting Type	Chassis Mount	Base Product Number	TTB6C135
RHoS	yes	PBFree	yes
HalogenFree	no	Product Category	Discrete Semiconductor Modules
Technology	Si	Product Type	Discrete Semiconductor Modules
Subcategory	Discrete Semiconductor Modules	Part # Aliases	TTB6C135N16LOF SP000100254

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