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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

TXN825RG +BOM

25 A 800 V standard SCR Thyristor in TO-220 Ins.

Hersteller:

STMicroelectronics
Herstellerteil #:

TXN825RG
Datenblatt:

TXN825RG Datenblatt (PDF)
Rated Repetitive Off-State Voltage VDRM:

800 V
Off-State Leakage Current @ VDRM IDRM:

5 uA
On-State RMS Current - It RMS:

25 A
Maximum Gate Peak Inverse Voltage:

5 V
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an TXN825RG

TXN825RG Allgemeine Beschreibung

Available in through-hole package, the TXN825RG is suitable for general purpose applications.It uses clip assembly technology, therefore the performance is superior in surge current capabilities.Housed in a TO-220AB ceramic insulated, this device provides an improved thermal resistance.

Hauptmerkmale

On-state RMS current, I_T(RMS) 25 A
Max. junction temperature = 125 °C
Max. blocking voltage = V_DRM, V_RRM = 800 V
I_GT maximum = 40 mA
High immunity dV/dt = 1500 V/µs
ECOPACK^®2 compliant component (RoHS and HF compliance)
Packaged in an insulated TO-220AB
- Insulating voltage 2500 V_RMS
- UL1557 certified (file ref. E81734)

Spezifikationen

Product Category	SCRs	Series	TXN825RG
Rated Repetitive Off-State Voltage VDRM	800 V	Off-State Leakage Current @ VDRM IDRM	5 uA
On-State RMS Current - It RMS	25 A	Maximum Gate Peak Inverse Voltage	5 V
Gate Trigger Voltage - Vgt	1.3 V	Gate Trigger Current - Igt	40 mA
Minimum Operating Temperature	- 40 C	Maximum Operating Temperature	+ 125 C
Mounting Style	Through Hole	Holding Current Ih Max	50 mA
Non Repetitive On-State Current	300 A	Product Type	SCRs
Factory Pack Quantity	1000	Subcategory	Thyristors
Unit Weight	0.067021 oz

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