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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

UCC27211DDAR +BOM

4-A, 120-V half bridge gate driver with 8-V UVLO and TTL inputs

Hersteller:

TI
Herstellerteil #:

UCC27211DDAR
Datenblatt:

UCC27211DDAR Datenblatt (PDF)
Bus Voltage (max) (V):

110
Power Switch:

MOSFET
Input VCC (min) (V):

8
Input VCC (max) (V):

17
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an UCC27211DDAR

UCC27211DDAR Allgemeine Beschreibung

Additionally, the integration of a 120-V rated bootstrap diode eliminates the need for external discrete diodes, simplifying circuit design. The undervoltage lockout feature for both drivers ensures symmetric turnon and turnoff behavior, safeguarding against drive voltage fluctuations. Available in various package options, including the SOIC-8, PowerPAD SOIC-8, SON-8, and SON-10, the UCC27210 and UCC27211 drivers offer versatility and performance for a wide range of applications

Hauptmerkmale

High-Speed Data Transfer
Fast Response Time Guaranteed
Safe and Reliable Performance
Low Power Consumption Achieved
Compact Design for Space Saving
Easy Installation and Maintenance

Spezifikationen

Bus voltage (max) (V)	110	Power switch	MOSFET
Input VCC (min) (V)	8	Input VCC (max) (V)	17
Peak output current (A)	4	Operating temperature range (°C)	-40 to 140
Undervoltage lockout (typ) (V)	8	Rating	Catalog
Propagation delay time (µs)	0.02	Rise time (ns)	8
Fall time (ns)	7	Iq (mA)	0.001
Input threshold	TTL	Channel input logic	TTL
Negative voltage handling at HS pin (V)	-12	Driver configuration	Dual, Noninverting, TTL compatible

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