Bezahlverfahren
UPD48576118F1-E18-DW1-A +BOM
576M-BIT Low Latency DRAM Separate I/O
144-TBGA-
Hersteller:
-
Herstellerteil #:
UPD48576118F1-E18-DW1-A
-
Datenblatt:
-
Programmabe:
Not Verified
-
Memory Type:
Volatile
-
Memory Format:
DRAM
-
Technology:
LLDRAM
-
EDA/CAD Modelle:
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Verfügbarkeit: 8997 Stck
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UPD48576118F1-E18-DW1-A Allgemeine Beschreibung
The µPD48576118F1 is a 33, 554, 432 word by 18 bit synchronous double data rate Low Latency RAM fabricated with advanced CMOS technology using one-transistor memory cell. The µPD48576118F1 integrate unique synchronous peripheral circuitry and a burst counter. All input registers controlled by an input clock pair (CK and CK#) are latched on the positive edge of CK and CK#. These products are suitable for application which require synchronous operation, High-Speed, low voltage, high density and wide bit configuration.
Hauptmerkmale
- SRAM-type interface
- Double-data-rate architecture
- PLL circuitry
- Cycle time: 1.875 ns @ tRC = 15 ns 2.5 ns @ tRC = 15 ns 2.5 ns @ tRC = 20 ns 3.3 ns @ tRC = 20 ns
- Non-multiplexed addresses
- Multiplexing option is available.
- Data mask for WRITE commands
- Differential input clocks (CK and CK#)
- Differential input data clocks (DK and DK#)
- Data valid signal (QVLD)
- Programmable burst length: 2 / 4 / 8 (x18)
- User programmable impedance output (25 Ω - 60 Ω)
- JTAG boundary scan
Spezifikationen
Series | - | Programmabe | Not Verified |
Memory Type | Volatile | Memory Format | DRAM |
Technology | LLDRAM | Memory Size | 576Mbit |
Memory Organization | 32M x 18 | Memory Interface | HSTL |
Clock Frequency | 533 MHz | Write Cycle Time - Word, Page | - |
Access Time | 300 ps | Voltage - Supply | 1.7V ~ 1.9V |
Operating Temperature | 0°C ~ 95°C (TC) | Mounting Type | Surface Mount |
Base Product Number | UPD48576118 |
Servicerichtlinien und andere
After-Sales- und Abwicklungsbezogen
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In Stock: 8.997
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