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Siehe Technische Spezifikationen

W29N02GVSIAA +BOM

FLASH - NAND (SLC) Memory IC 2Gbit Parallel 25 ns 48-TSOP

Hersteller:

Winbond Electronics
Herstellerteil #:

W29N02GVSIAA
Datenblatt:

W29N02GVSIAA Datenblatt (PDF)
Programmabe:

Not Verified
Memory Type:

Non-Volatile
Memory Format:

FLASH
Technology:

FLASH - NAND (SLC)
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an W29N02GVSIAA

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Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

Tel: +852 95804164

W29N02GVSIAA Allgemeine Beschreibung

The W29N02GVSIAA NAND flash memory chip, crafted by Winbond Electronics, exemplifies cutting-edge technology in data storage. As a member of the esteemed W29NxxGV series, this chip boasts a remarkable capacity of 2 gigabits, equivalent to 256 megabytes. Leveraging NAND technology, it offers a potent combination of high-density data storage and compact design – ideal for space-constrained applications. Running on a 3-volt power supply, it supports a diverse array of interface options, including the versatile SPI (Serial Peripheral Interface)

Hauptmerkmale

· Single 5-volt write (erase and program) operations
· Fast page-write operations
- 256 bytes per page
- Page write (erase/program) cycle: 5 mS (typ.)
- Effective byte-write (erase/program) cycle time: 19.5 mS
- Optional software-protected data write
· Fast chip-erase operation: 50 mS
· Two 16 KB boot blocks with lockout
· Page write (erase/program) cycles: 50K (typ.)
· Read access time: 70/90/120 nS
· Ten-year data retention
· Software and hardware data protection
· Low power consumption
- Active current: 25 mA (typ.)
- Standby current: 20 mA (typ.)
·Automaticwrite (erase/program) timing with internal VPP generation
· End of write (erase/program) detection
- Toggle bit
- Data polling
· Latched address and data
· All inputs and outputs directly TTL compatible
· JEDEC standard byte-wide pinouts
· Available packages: 32-pin 600 mil DIP, TSOP and PLCC

Spezifikationen

Programmabe	Not Verified	Memory Type	Non-Volatile
Memory Format	FLASH	Technology	FLASH - NAND (SLC)
Memory Size	2Gbit	Memory Organization	256M x 8
Memory Interface	Parallel	Clock Frequency	-
Write Cycle Time - Word, Page	25ns	Access Time	25 ns
Voltage - Supply	2.7V ~ 3.6V	Operating Temperature	-40°C ~ 85°C (TA)
Mounting Type	Surface Mount

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