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Siehe Technische Spezifikationen

W9864G6IH-6 +BOM

3.3V 54-Pin TSOP-II DRAM Chip SDRAM 64Mbit 4Mx16

Hersteller:

Winbond Electronics
Herstellerteil #:

W9864G6IH-6
Datenblatt:

W9864G6IH-6 Datenblatt (PDF)
Programmabe:

Not Verified
Memory Type:

Volatile
Memory Format:

DRAM
Technology:

SDRAM
EDA/CAD Modelle:

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Email: [email protected]

Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

Tel: +852 95804164

W9864G6IH-6 Allgemeine Beschreibung

When it comes to memory performance, the W9864G6IH-6 stands in a league of its own. This high-speed DDR SDRAM chip features a substantial capacity of 512MB and boasts a phenomenal data transfer rate of up to 166MHz. Its low-power design ensures that electronic devices can operate efficiently without compromising on performance. Whether it's for consumer appliances, aerospace systems, or data storage solutions, the W9864G6IH-6 is the ultimate choice for delivering unparalleled memory performance

Hauptmerkmale

3.3V± 0.3V for -5/-6 speed grades power supply
2. 7V~3.6V for -7/-7S speed grades power supply
1,048,576 words×4 banks ×16 bits organization
Self Refresh Current: Standard and Low Power
CAS Latency: 2 & 3
Burst Length: 1, 2, 4, 8 and full page
Sequential and Interleave Burst
Byte data controlled by LDQM, UDQM
Auto-precharge and controlled precharge
Burst read, single write operation
4K refresh cycles/64mS
Interface: LVTTL
Packaged in TSOP II 54-pin, 400 mil using Lead free materials with RoHS compliant

Spezifikationen

Programmabe	Not Verified	Memory Type	Volatile
Memory Format	DRAM	Technology	SDRAM
Memory Size	64Mbit	Memory Organization	4M x 16
Memory Interface	Parallel	Clock Frequency	166 MHz
Write Cycle Time - Word, Page	-	Access Time	5 ns
Voltage - Supply	3V ~ 3.6V	Operating Temperature	0°C ~ 70°C (TA)
Mounting Type	Surface Mount

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After-Sales- und Abwicklungsbezogen

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