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Siehe Technische Spezifikationen

X28HC256SIZ-90 +BOM

IC EEPROM 256KBIT 90NS 28SOIC

Hersteller:

RENESAS
Herstellerteil #:

X28HC256SIZ-90
Datenblatt:

X28HC256SIZ-90 Datenblatt (PDF)
Pbfree Code:

Yes
Part Life Cycle Code:

Obsolete
Pin Count:

28
Reach Compliance Code:

compliant

Email: [email protected]

Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

Tel: +852 95804164

X28HC256SIZ-90 Allgemeine Beschreibung

The X28HC256 is a second generation high performance CMOS 32k x 8 EEPROM. It is fabricated with Intersil’s proprietary, textured poly floating gate technology, providing a highly reliable 5V only nonvolatile memory. The X28HC256 supports a 128-byte page write operation, effectively providing a 24μs/byte write cycle, and enabling the entire memory to be typically rewritten in less than 0. 8s. The X28HC256 also features DATA polling and Toggle bit polling, two methods of providing early end of write detection

Spezifikationen

Source Content uid	X28HC256SIZ-90	Pbfree Code	Yes
Part Life Cycle Code	Obsolete	Pin Count	28
Reach Compliance Code	compliant	ECCN Code	EAR99
HTS Code	8542.32.00.51	JESD-30 Code	R-PDSO-G28
Memory IC Type	EEPROM	Memory Organization	32KX8
Memory Width	8	Moisture Sensitivity Level	3
Number of Functions	1	Number of Terminals	28
Number of Words Code	32000	Operating Mode	ASYNCHRONOUS
Parallel/Serial	PARALLEL	Peak Reflow Temperature (Cel)	260
Surface Mount	YES	Technology	CMOS
Temperature Grade	INDUSTRIAL	Terminal Finish	MATTE TIN
Terminal Form	GULL WING	Terminal Position	DUAL
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)	30	Programmabe	Not Verified
Memory Type	Non-Volatile	Memory Format	EEPROM
Memory Size	256Kbit	Memory Interface	Parallel
Write Cycle Time - Word, Page	5ms	Access Time	90 ns
Voltage - Supply	4.5V ~ 5.5V	Operating Temperature	-40°C ~ 85°C (TA)
Mounting Type	Surface Mount	Base Product Number	X28HC256

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