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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

ZXGD3002E6TA +BOM

Efficient MOSFET control

Hersteller:

Diodes Incorporated
Herstellerteil #:

ZXGD3002E6TA
Datenblatt:

ZXGD3002E6TA Datenblatt (PDF)
Programmabe:

Not Verified
Driven Configuration:

Low-Side
Channel Type:

Single
Number Of Drivers:

1
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an ZXGD3002E6TA

ZXGD3002E6TA Allgemeine Beschreibung

The ZXGD3002E6TA gate driver IC from Diodes Incorporated is a game-changer when it comes to high-speed, high-voltage applications. With its impressive peak output current of 2A, this IC ensures that MOSFETs switch efficiently and rapidly, making it ideal for a wide range of uses such as DC-DC converters, motor drives, and power supplies. Its wide input voltage range of 5V to 18V adds to its versatility, allowing it to be easily integrated into different power supply setups

Hauptmerkmale

High-Gain Buffer with Typically 2A Output from 10mA Input 9A Peak Output Current Emitter-Follower that is Rugged to Latch-Up/Shoot-Though Fast Switching Emitter-Follower Configuration: 2ns Propagation Delay Time 9ns Rise/Fall Time, 1000pF Load Optimized Pinout to Simplify PCB Layout and Reduce Parasitic Trace Inductances Near-Zero Quiescent Supply Current

Spezifikationen

Programmabe	Not Verified	Driven Configuration	Low-Side
Channel Type	Single	Number of Drivers	1
Gate Type	IGBT, N-Channel MOSFET	Voltage - Supply	20V (Max)
Current - Peak Output (Source, Sink)	9A, 9A	Input Type	Non-Inverting
Rise / Fall Time (Typ)	8.3ns, 10.8ns	Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Base Product Number	ZXGD3002

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