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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

ZXTDB2M832TA +BOM

Small-signal bipolar transistor with a maximum collector current of 4

Hersteller:

Diodes Incorporated
Herstellerteil #:

ZXTDB2M832TA
Datenblatt:

ZXTDB2M832TA Datenblatt (PDF)
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

NPN, PNP
Configuration:

Dual
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

20 V
EDA/CAD Modelle:

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ZXTDB2M832TA Allgemeine Beschreibung

Bipolar (BJT) Transistor Array 1 NPN, 1 PNP 20V 4.5A, 3.5A 140MHz, 180MHz 1.7W Surface Mount 8-MLP (3x2)

Hauptmerkmale

Low Equivalent On Resistance
Low Saturation Voltage (150mV max @1A--NPN)
HFE specified up to 6A
IC = 4.5A Continuous Collector Current
3mm x 2mm MLP

Anwendung

DC - DC Converters |Charging circuits |Power switches |Motor control

Spezifikationen

Product Category	Bipolar Transistors - BJT	Mounting Style	SMD/SMT
Transistor Polarity	NPN, PNP	Configuration	Dual
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	20 V	Collector- Base Voltage VCBO	40 V, 25 V
Emitter- Base Voltage VEBO	7.5 V	Maximum DC Collector Current	5 A, 3.8 A
Pd - Power Dissipation	3 W	Gain Bandwidth Product fT	140 MHz, 180 MHz
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Height	1 mm
Length	3 mm	Product Type	BJTs - Bipolar Transistors
Factory Pack Quantity	3000	Subcategory	Transistors
Technology	Si	Width	2 mm

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