Bezahlverfahren
2N3055 +BOM
60V 115W 5@10A,4V 15A NPN TO-3 Bipolar Transistors - BJT ROHS
TO-3 -2-
Hersteller:
-
Herstellerteil #:
2N3055
-
Datenblatt:
-
Mounting Style:
Through Hole
-
Transistor Polarity:
NPN
-
Configuration:
Single
-
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:
70 V
-
EDA/CAD Modelle:
Verfügbarkeit: 4916 Stck
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2N3055 Allgemeine Beschreibung
The PNP Bipolar Power Transistor is designed for use in high power amplifier and switching amplifier applications. The 2N3055 (NPN) and MJ2955 (PNP)are complementary devices.
Hauptmerkmale
- DC Current Gain - hFE = 20-70 @ IC = 4 Adc
- Collector-Emitter Saturation Voltage - VCE(sat) = 1.1 Vdc (Max) @ IC = 4 Adc
- Excellent Safe Operating Area
- Pb-Free Packages are Available
Spezifikationen
Product Category | Bipolar Transistors - BJT | Mounting Style | Through Hole |
Transistor Polarity | NPN | Configuration | Single |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 70 V | Collector- Base Voltage VCBO | 100 V |
Emitter- Base Voltage VEBO | 7 V | Collector-Emitter Saturation Voltage | 1.1 V |
Pd - Power Dissipation | 117 W | Gain Bandwidth Product fT | 4 MHz |
Minimum Operating Temperature | - 65 C | Maximum Operating Temperature | + 200 C |
Continuous Collector Current | 15 A | DC Collector/Base Gain hfe Min | 20 at 4 A, 4 V |
DC Current Gain hFE Max | 70 at 4 A, 4 V | Height | 11.43 mm |
Length | 39.94 mm | Product Type | BJTs - Bipolar Transistors |
Factory Pack Quantity | 10 | Subcategory | Transistors |
Technology | Si | Width | 26.67 mm |
Servicerichtlinien und andere
After-Sales- und Abwicklungsbezogen
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Qualitätsgarantie
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In Stock: 4.916
Minimum Order: 1
Menge. | Einzelpreis | Ext. Preis |
---|---|---|
1+ | $1,146 | $1,15 |
10+ | $0,970 | $9,70 |
25+ | $0,872 | $21,80 |
100+ | $0,717 | $71,70 |
500+ | $0,670 | $335,00 |
1000+ | $0,646 | $646,00 |
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