Diese Website verwendet Cookies. Durch die Nutzung dieser Website stimmen Sie der Verwendung von Cookies zu. Weitere Informationen finden Sie in unseren Datenschutzrichtlinie.

Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

11N50 +BOM

500V N-CHANNEL MOSFET

Hersteller:

IR
Herstellerteil #:

11N50
Datenblatt:

11N50 Datenblatt (PDF)
Paket/Koffer:

TO220
Produktart:

Transistors
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an 11N50

Email: [email protected]

Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

Tel: +852 95804164

Hauptmerkmale

�� DESCRIPTIONThe UTC 11N50is an N-channel enhancement mode power MOSFET. It uses UTC advanced planar stripe, DMOS technology to provide customers perfect switching performance, minimal on-state resistance. It also can withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode.The UTC 11N50is universally applied in electronic lamp ballasts based on half bridge topology, high efficiency switched mode power supplies, active power factor correction, etc.* RDS(ON)=0.55@ VGS=10V* Fast Switching* With 100% Avalanche Tested

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

Zahlung

Bezahlverfahren

TT/Überweisung

Paypal

Western Union

Geldgramm

Für alternative Zahlungskanäle kontaktieren Sie uns bitte unter:

[email protected]

Versand & Verpackung

Versandart

Fedex

UPS

DHL

NTN

Verpackung

AVAQ bestimmt und verpackt alle Geräte auf der Grundlage der Schutzanforderungen gegen elektrostatische Entladung (ESD) und Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL)..