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Siehe Technische Spezifikationen

1MBI100U4F-120L-50 +BOM

Insulated Gate Bipolar Transistor, 150A I(C), 1200V V(BR)CES

Hersteller:

FUJITSU
Herstellerteil #:

1MBI100U4F-120L-50
Datenblatt:

1MBI100U4F-120L-50 Datenblatt (PDF)
Part Life Cycle Code:

Active
ECCN Code:

EAR99
Case Connection:

ISOLATED
Collector Current-Max (IC):

150 A
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an 1MBI100U4F-120L-50

Avaq Semiconductor bietet den äußerst vielseitigen und zuverlässigen 1MBI100U4F-120L-50-Treiber von FUJITSU an. Mit seinen multifunktionalen und leistungsstarken Funktionen ist diese Komponente eine ausgezeichnete Wahl für eine breite Palette elektronischer Projekte.

Um sicherzustellen, dass Sie über alle notwendigen Informationen verfügen, um diese Komponente optimal nutzen zu können, stellt Avaq ein kostenloses Datenblatt im PDF-Format sowie Schaltpläne, Pin-Layouts, Pin-Details, Pin-Spannungswerte und gleichwertige Komponenten für die zur Verfügung 1MBI100U4F-120L-50.

Avaq bietet auch kostenlose Muster an. Füllen Sie einfach das Musteranforderungsformular aus und senden Sie es ab, um Ihre kostenlosen Muster zum Testen zu erhalten. Bei Fragen können Sie sich gerne jederzeit an uns wenden.

Spezifikationen

Part Life Cycle Code	Active	Reach Compliance Code
ECCN Code	EAR99	Case Connection	ISOLATED
Collector Current-Max (IC)	150 A	Collector-Emitter Voltage-Max	1200 V
Configuration	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	Gate-Emitter Voltage-Max	20 V
JESD-30 Code	R-XUFM-X7	Number of Elements	1
Number of Terminals	7	Operating Temperature-Max	150 °C
Peak Reflow Temperature (Cel)	NOT SPECIFIED	Polarity/Channel Type	N-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs)	540 W	Surface Mount	NO
Terminal Form	UNSPECIFIED	Terminal Position	UPPER
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)	NOT SPECIFIED	Transistor Application	MOTOR CONTROL
Transistor Element Material	SILICON	Turn-off Time-Nom (toff)	410 ns
Turn-on Time-Nom (ton)	320 ns	VCEsat-Max	2.05 V

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