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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

1MBI600V-120-50 +BOM

600A insulated gate bipolar transistor with a 1200V breakdown voltage

Hersteller:

FUJITSU
Herstellerteil #:

1MBI600V-120-50
Datenblatt:

1MBI600V-120-50 Datenblatt (PDF)
Part Life Cycle Code:

Active
ECCN Code:

EAR99
Case Connection:

ISOLATED
Collector Current-Max (IC):

720 A
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an 1MBI600V-120-50

Hauptmerkmale

Small temperature dependence of the turn-off switching loss
Easy to connect in parallel
Wide RBSOA (square up to 2 time of rated current) and high shortcircuit withstand capability
Low loss and soft-switching (reduction of EMI noise)

Spezifikationen

Part Life Cycle Code	Active	Reach Compliance Code
ECCN Code	EAR99	Case Connection	ISOLATED
Collector Current-Max (IC)	720 A	Collector-Emitter Voltage-Max	1200 V
Configuration	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	Gate-Emitter Voltage-Max	20 V
JESD-30 Code	R-XUFM-X4	Number of Elements	1
Number of Terminals	4	Operating Temperature-Max	125 °C
Peak Reflow Temperature (Cel)	NOT SPECIFIED	Polarity/Channel Type	N-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs)	3000 W	Surface Mount	NO
Terminal Form	UNSPECIFIED	Terminal Position	UPPER
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)	NOT SPECIFIED	Transistor Application	MOTOR CONTROL
Transistor Element Material	SILICON	Turn-off Time-Nom (toff)	900 ns
Turn-on Time-Nom (ton)	700 ns	VCEsat-Max	2.5 V

Servicerichtlinien und andere

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