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Siehe Technische Spezifikationen

1ZB220-Y +BOM

1W Power Zener Diode

Hersteller:

Galaxy Microelectronics
Herstellerteil #:

1ZB220-Y
Datenblatt:

1ZB220-Y Datenblatt (PDF)
Part Life Cycle Code:

Active
ECCN Code:

EAR99
HTS Code:

8541.10.00.50
Case Connection:

ISOLATED

Hauptmerkmale

Durable construction with high-quality materials
Safe and reliable operation guaranteed
Economical power consumption realized
Easy installation without professional help
Compact size for easy storage
Maintenance-free design achieved

Anwendung

Advanced robotics
Smart manufacturing
Telecom solutions
Power grid systems
Data center solutions
Security technology

Spezifikationen

Part Life Cycle Code	Active	ECCN Code	EAR99
HTS Code	8541.10.00.50	Case Connection	ISOLATED
Configuration	SINGLE	Diode Element Material	SILICON
Diode Type	ZENER DIODE	Dynamic Impedance-Max	5000 Ω
JEDEC-95 Code	DO-41	JESD-30 Code	O-XALF-W2
Number of Elements	1	Number of Terminals	2
Operating Temperature-Max	150 °C	Operating Temperature-Min	-40 °C
Peak Reflow Temperature (Cel)	260	Polarity	UNIDIRECTIONAL
Power Dissipation-Max	1 W	Reference Voltage-Nom	220 V
Reverse Current-Max	10 µA	Reverse Test Voltage	176 V
Surface Mount	NO	Technology	ZENER
Terminal Form	WIRE	Terminal Position	AXIAL
Voltage Temp Coeff-Max	309 mV/°C	Voltage Tol-Max	10%
Working Test Current	0.5 mA

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

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