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Siehe Technische Spezifikationen

2N6507G +BOM

This SCR, labeled 2N6507G, exhibits a maximum current surge rating of 250A, making it suitable for high-power applications

Hersteller:

LITTELFUSE
Herstellerteil #:

2N6507G
Datenblatt:

2N6507G Datenblatt (PDF)
Breakover Current IBO Max:

250 A
Rated Repetitive Off-State Voltage VDRM:

400 V
Off-State Leakage Current @ VDRM IDRM:

0.01 mA
Forward Voltage Drop:

1.8 V
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an 2N6507G

2N6507G Allgemeine Beschreibung

The 2N6507G Silicon Controlled Rectifier is an essential component in various industrial applications, providing reliable half-wave AC control for motor controls, heating systems, and power supply crowbar circuits. With its versatile design and dependable performance, this SCR is a critical tool for ensuring smooth and efficient operation in a wide range of electrical systems

Hauptmerkmale

Silicon Epitaxial Planar Construction
High Current Rating and Low Saturation Voltage
Low Forward Drop and High Frequency Operation

Spezifikationen

Breakover Current IBO Max	250 A	Rated Repetitive Off-State Voltage VDRM	400 V
Off-State Leakage Current @ VDRM IDRM	0.01 mA	Forward Voltage Drop	1.8 V
Gate Trigger Voltage (Vgt)	1.5 V	Gate Trigger Current (Igt)	30 mA
Holding Current (Ih Max)	40 mA	Mounting Style	Through Hole
Packaging	Bulk	Maximum Operating Temperature	+ 125 C
Minimum Operating Temperature	- 40 C	Factory Pack Quantity	500
Product Category	SCRs	Series	2N650X
On-State RMS Current - It RMS	25 A	Vf - Forward Voltage	1.8 V
Gate Trigger Voltage - Vgt	1.5 V	Gate Trigger Current - Igt	30 mA
Current Rating	16 A	Height	9.28 mm
Holding Current Ih Max	40 mA	Length	10.28 mm
Non Repetitive On-State Current	250 A	Product Type	SCRs
Subcategory	Thyristors	Type	SCR
Width	4.82 mm	Unit Weight	0.063493 oz

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