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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

2N6508TG +BOM

SCR 600 V 25 A Standard Recovery Through Hole TO-220AB

Hersteller:

LITTELFUSE
Herstellerteil #:

2N6508TG
Datenblatt:

2N6508TG Datenblatt (PDF)
Breakover Current IBO Max:

250 A
Rated Repetitive Off-State Voltage VDRM:

600 V
Off-State Leakage Current @ VDRM IDRM:

0.01 mA
Forward Voltage Drop:

1.8 V
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an 2N6508TG

2N6508TG Allgemeine Beschreibung

The Silicon Controlled Rectifier is designed primarily for half-wave ac control applications, such as motor controls, heating controls and power supply crowbar circuits.

Hauptmerkmale

Glass Passivated Junctions with Center Gate Fire for Greater Parameter Uniformity and Stability
Small, Rugged, Thermowatt Constructed for Low Thermal Resistance, High Heat Dissipation and Durability
Blocking Voltage to 800 Volts
300 A Surge Current Capability
Device Marking: Logo, Device Type, e.g., 2N6504, Date Code
Pb-Free Packages are Available*

Spezifikationen

Breakover Current IBO Max	250 A	Rated Repetitive Off-State Voltage VDRM	600 V
Off-State Leakage Current @ VDRM IDRM	0.01 mA	Forward Voltage Drop	1.8 V
Gate Trigger Voltage (Vgt)	1.5 V	Gate Trigger Current (Igt)	30 mA
Holding Current (Ih Max)	40 mA	Mounting Style	Through Hole
Packaging	Rail	Maximum Operating Temperature	+ 125 C
Minimum Operating Temperature	- 40 C	Factory Pack Quantity	50

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

Zahlung

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Versand & Verpackung

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Verpackung

AVAQ bestimmt und verpackt alle Geräte auf der Grundlage der Schutzanforderungen gegen elektrostatische Entladung (ESD) und Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL)..