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Siehe Technische Spezifikationen

2SCR586JGTLL +BOM

Bipolar Transistors - BJT NPN, TO-263AB, 80V 5A, Power Transistor

Hersteller:

ROHM Semiconductor
Herstellerteil #:

2SCR586JGTLL
Datenblatt:

2SCR586JGTLL Datenblatt (PDF)
Series:

Automotive, AEC-Q101
Transistor Type:

NPN
Current - Collector (Ic) (Max):

5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):

80 V
EDA/CAD Modelle:

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2SCR586JGTLL Allgemeine Beschreibung

Bipolar (BJT) Transistor NPN 80 V 5 A 200MHz 40 W Surface Mount TO-263AB

Spezifikationen

Category	Discrete Semiconductor ProductsTransistorsBipolar (BJT)Single Bipolar Transistors	Series	Automotive, AEC-Q101
Transistor Type	NPN	Current - Collector (Ic) (Max)	5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	80 V	Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max)	1µA (ICBO)	DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	120 @ 500mA, 3V
Power - Max	40 W	Frequency - Transition	200MHz
Operating Temperature	150°C (TJ)	Mounting Type	Surface Mount
Product Category:	Bipolar Transistors - BJT	Mounting Style:	SMD/SMT
Transistor Polarity:	NPN	Configuration:	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:	80 V	Collector- Base Voltage VCBO:	80 V
Emitter- Base Voltage VEBO:	6 V	Collector-Emitter Saturation Voltage:	100 mV
Maximum DC Collector Current:	5 A	Pd - Power Dissipation:	40 W
Gain Bandwidth Product fT:	200 MHz	Minimum Operating Temperature:	-
Maximum Operating Temperature:	+ 150 C	Packaging:	Cut Tape
Continuous Collector Current:	5 A	DC Current Gain hFE Max:	390 at 500 mA, 3 V
Product Type:	BJTs - Bipolar Transistors	Factory Pack Quantity:	1000
Subcategory:	Transistors	Technology:	Si
Part # Aliases:	2SCR586J

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