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Siehe Technische Spezifikationen

IRF640NSPBF +BOM

IRF640NSPBF is an N-channel D2PAK MOSFET capable of handling up to 200V and 18A with a power dissipation of 150W

Hersteller:

Infineon
Herstellerteil #:

IRF640NSPBF
Datenblatt:

IRF640NSPBF Datenblatt (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

N-Channel
Number Of Channels:

1 Channel
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an IRF640NSPBF

Email: [email protected]

Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

Tel: +852 95804164

Hauptmerkmale

Low RDS(on) to minimize conduction losses
High current capability
Enhanced avalanche energy capability
Low input and output capacitance to reduce switching losses
Logic-level gate drive compatibility for easy interfacing
Halogen-free and RoHS compliant
TO-262 package for easy mounting

Anwendung

Motor control device
Car system integration
Battery management

Spezifikationen

Product Category	MOSFET	Technology	Si
Mounting Style	SMD/SMT	Transistor Polarity	N-Channel
Number of Channels	1 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	200 V
Id - Continuous Drain Current	18 A	Rds On - Drain-Source Resistance	150 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V	Qg - Gate Charge	44.7 nC
Minimum Operating Temperature	- 55 C	Maximum Operating Temperature	+ 175 C
Pd - Power Dissipation	150 W	Channel Mode	Enhancement
Configuration	Single	Fall Time	5.5 ns
Height	2.3 mm	Length	6.5 mm
Product Type	MOSFET	Rise Time	19 ns
Factory Pack Quantity	1000	Subcategory	MOSFETs
Transistor Type	1 N-Channel	Type	HEXFET Power MOSFET
Typical Turn-Off Delay Time	23 ns	Typical Turn-On Delay Time	10 ns
Width	6.22 mm	Part # Aliases	SP001554094
Unit Weight	0.011640 oz

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

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