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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

2SJ278MYTR-E +BOM

Renesas Electronics 2SJ278MYTR-E

Hersteller:

RENESAS
Herstellerteil #:

2SJ278MYTR-E
Datenblatt:

2SJ278MYTR-E Datenblatt (PDF)
Pbfree Code:

Yes
Part Life Cycle Code:

End Of Life
Pin Count:

4
Reach Compliance Code:

compliant
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an 2SJ278MYTR-E

Email: [email protected]

Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

Tel: +852 95804164

2SJ278MYTR-E Allgemeine Beschreibung

The 2SJ278 is a Pch Single Power Mosfet -60V -1A 830Mohm Upak/Sc-62.

Hauptmerkmale

Low on-resistance
High speed switching
Low drive current
4 V gate drive device can be driven from 5 V source
Suitable for switching regulator, DC-DC converter

Spezifikationen

Source Content uid	2SJ278MYTR-E	Pbfree Code	Yes
Part Life Cycle Code	End Of Life	Pin Count	4
Reach Compliance Code	compliant	ECCN Code	EAR99
Date Of Intro	1997-08-01	Application	SWITCHING
Case Connection	DRAIN	Configuration	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 Code	R-PSSO-F3
Number of Elements	1	Number of Terminals	3
Operating Mode	ENHANCEMENT MODE	Peak Reflow Temperature (Cel)	NOT SPECIFIED
Polarity/Channel Type	P-CHANNEL	Surface Mount	YES
Terminal Form	FLAT	Terminal Position	SINGLE
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)	NOT SPECIFIED	Transistor Element Material	SILICON

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

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