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2SJ504-E +BOM

Discover Renesas Electronics' innovative product, the 2SJ504-E

2SJ504-E Allgemeine Beschreibung

The 2SJ504-E is a top-of-the-line P-channel MOSFET transistor engineered for swift and efficient switching tasks within electronic systems. With a robust maximum drain-source voltage (VDS) of -60V and a continuous drain current (ID) of -3A, this transistor boasts unparalleled performance capabilities. Its low on-resistance (RDS(on)) of 0.4 ohms ensures minimal power loss during operation, making it an ideal choice for high-speed applications

Hauptmerkmale

  • Robust against electromagnetic interference
  • Long term reliability
  • Compact size and low weight

Anwendung

  • Amp controls
  • Relay systems
  • Industrial tech

Spezifikationen

Pkg. Type TO-220FM Carrier Type Tube

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