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Siehe Technische Spezifikationen

74HC1G32GW,125 +BOM

20uA 2V~6V 1 23ns@6V,50pF ORGate SOT-353 Gates ROHS

Hersteller:

Nexperia
Herstellerteil #:

74HC1G32GW,125
Datenblatt:

74HC1G32GW,125 Datenblatt (PDF)
Type Number:

74HC1G32GW
VCC (V):

2.0 - 6.0
Logic Switching Levels:

CMOS
Output Drive Capability (mA):

± 2.6
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an 74HC1G32GW,125

74HC1G32GW,125 Allgemeine Beschreibung

The 74HC1G32GW,125 is a versatile single 2-input OR gate that boasts reliable performance in a variety of applications. With its included clamp diodes, this gate allows for easy interface with other components while ensuring voltage levels remain within safe limits. Whether you're working on a simple circuit or a complex system, the 74HC1G32GW,125 is a valuable addition to your toolkit

Hauptmerkmale

Wide supply voltage range from 2.0 V to 6.0 V
Symmetrical output impedance
High noise immunity
CMOS low power dissipation
Balanced propagation delays
Latch-up performance exceeds 100 mA per JESD78 Class II Level B
Input levels:For 74HC1G32: CMOS levelFor 74HCT1G32: TTL level
For 74HC1G32: CMOS level
For 74HCT1G32: TTL level
Complies with JEDEC standards:JESD8C (2.7 V to 3.6 V)JESD7A (2.0 V to 6.0 V)
JESD8C (2.7 V to 3.6 V)
JESD7A (2.0 V to 6.0 V)
ESD protectionHBM JESD22-A114-A exceeds 2000 VMM JESD22-A115-A exceeds 200 V
HBM JESD22-A114-A exceeds 2000 V
MM JESD22-A115-A exceeds 200 V
Specified from -40° C to +85° C and from -40° C to +125° C

Spezifikationen

Type number	74HC1G32GW	VCC (V)	2.0 - 6.0
Logic switching levels	CMOS	Output drive capability (mA)	± 2.6
tpd (ns)	8.0	fmax (MHz)	36
Nr of bits	1	Power dissipation considerations	low
Tamb (°C)	-40~125	Rth(j-a) (K/W)	261
Ψth(j-top) (K/W)	39.3	Rth(j-c) (K/W)	138
Packing	SOT353-1_125	Orderable part number	74HC1G32GW,125
Chemical content	74HC1G32GW

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