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Siehe Technische Spezifikationen

AOD5B65M1 +BOM

Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) Module: N-Channel, 650 Volts, 10 Amps, 69 Watts, 3-Pin(2+Tab) DPAK, Tape and Reel Packaging

Hersteller:

AOS
Herstellerteil #:

AOD5B65M1
Datenblatt:

AOD5B65M1 Datenblatt (PDF)
ECCN (US):

EAR99
Channel Type:

N
Configuration:

Single
Maximum Gate Emitter Voltage (V):

±30
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AOD5B65M1 Allgemeine Beschreibung

IGBT 650 V 10 A 69 W Surface Mount TO-252 (DPAK)

Spezifikationen

ECCN (US)	EAR99	Part Status	NRND
Automotive		PPAP
Channel Type	N	Configuration	Single
Maximum Gate Emitter Voltage (V)	±30	Maximum Collector-Emitter Voltage (V)	650
Typical Collector Emitter Saturation Voltage (V)	1.57	Maximum Continuous Collector Current (A)	10
Maximum Gate Emitter Leakage Current (uA)	0.1	Maximum Power Dissipation (mW)	69
Minimum Operating Temperature (°C)	-55	Maximum Operating Temperature (°C)	150
Packaging	Tape and Reel	Mounting	Surface Mount
PCB changed	2	Tab	Tab
Pin Count	3

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