Bezahlverfahren
![hsbc](/img/service-policies-hsbc.png)
![paypal](/img/service-policies-paypal.png)
![wu](/img/service-policies-wu.png)
![mg](/img/service-policies-mg.png)
1200V IGBT APT33GF120BRG Non-Punch-Thru
TO-247-3Hersteller:
Herstellerteil #:
APT33GF120BRG
Datenblatt:
Technology:
Si
Mounting Style:
Through Hole
Configuration:
Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:
1.2 kV
EDA/CAD Modelle:
Senden Sie alle Stücklisten an
[email protected],
oder füllen Sie das untenstehende Formular aus, um ein Angebot für APT33GF120BRG zu erhalten. Garantierte Antwort innerhalb
12hr.
Bitte füllen Sie das kurze Formular unten aus und wir werden Ihnen umgehend ein Angebot zukommen lassen..
The APT33GF120BRG silicon carbide Schottky diode module is revolutionizing high-performance applications with its advanced design and superior capabilities. Developed by Microsemi Corporation, this module features a dual diode configuration with a common cathode and boasts a remarkable current rating of 33A. Its maximum forward current of 33A and reverse voltage rating of 1200V make it a standout choice for high-power applications, while its low forward voltage drop and fast switching speed guarantee high efficiency and performance in a variety of power electronics applications. The module's compact and rugged package ensures easy installation and reliable operation, even in challenging environments. With internal temperature monitoring and protection features, the APT33GF120BRG module delivers safe and reliable operation under diverse operating conditions
Product Category | IGBT Transistors | Technology | Si |
Mounting Style | Through Hole | Configuration | Single |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 1.2 kV | Collector-Emitter Saturation Voltage | 2.7 V |
Maximum Gate Emitter Voltage | - 20 V, 20 V | Continuous Collector Current at 25 C | 52 A |
Pd - Power Dissipation | 297 W | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
Maximum Operating Temperature | + 150 C | Continuous Collector Current | 52 A |
Continuous Collector Current Ic Max | 52 A | Gate-Emitter Leakage Current | 100 nA |
Height | 5.31 mm | Length | 21.46 mm |
Operating Temperature Range | - 55 C to + 150 C | Product Type | IGBT Transistors |
Factory Pack Quantity | 1 | Subcategory | IGBTs |
Width | 16.26 mm | Unit Weight | 1.340411 oz |
After-Sales- und Abwicklungsbezogen
Bezahlverfahren
Für alternative Zahlungskanäle kontaktieren Sie uns bitte unter:
[email protected]Versandart
AVAQ bestimmt und verpackt alle Geräte auf der Grundlage der Schutzanforderungen gegen elektrostatische Entladung (ESD) und Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL)..
365-Tage-Produkt
Qualitätsgarantie
Wir versprechen, 365 Tage Qualitätssicherung für alle unsere Produkte zu bieten.
Menge. | Einzelpreis | Ext. Preis |
---|---|---|
1+ | - | - |
Die unten angegebenen Preise dienen nur als Referenz.