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APT35GN120SG/TR +BOM

IGBT NPT, Trench Field Stop 1200 V 84 A 379 W Surface Mount D3PAK

Hersteller:

Microchip
Herstellerteil #:

APT35GN120SG/TR
Datenblatt:

APT35GN120SG/TR Datenblatt (PDF)
Mounting Style:

SMD/SMT
Configuration:

Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

1.2 kV
Maximum Gate Emitter Voltage:

- 20 V, 20 V

APT35GN120SG/TR Allgemeine Beschreibung

IGBT products from Microchip provide high-quality solutions for awide range of high-voltage and high-power applications. The switching frequencyrange spans from DC for minimal conduction loss to 150 kHz forvery-high-power-density Switch Mode Power Supply (SMPS) applications. There are sixproduct series that utilize three different IGBT technologies:Non-Punch-Through (NPT), Punch-Through (PT) and field stop. All standard IGBT products are available as a single IGBT or as aCombi product packaged with an anti-parallel DQ series diode.

IGBT-FIELDSTOP-1200V is a family of Field Stop IGBT with ultra low VCE(ON). The family is available in various current and package options

Spezifikationen

Product Category	IGBT Transistors	Mounting Style	SMD/SMT
Configuration	Single	Collector- Emitter Voltage VCEO Max	1.2 kV
Maximum Gate Emitter Voltage	- 20 V, 20 V	Continuous Collector Current at 25 C	94 A
Pd - Power Dissipation	379 W	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Gate-Emitter Leakage Current	600 nA
Product Type	IGBT Transistors	Factory Pack Quantity	400
Subcategory	IGBTs

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