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Siehe Technische Spezifikationen

BAR9002ELSE6327XTSA1 +BOM

RF Diode PIN - Single 80V 100 mA 250 mW PG-TSSLP-2-3

Hersteller:

Infineon Technologies Corporation
Herstellerteil #:

BAR9002ELSE6327XTSA1
Datenblatt:

BAR9002ELSE6327XTSA1 Datenblatt (PDF)
Diode Type:

PIN - Single
Voltage - Peak Reverse (Max):

80V
Current - Max:

100 mA
Capacitance @ Vr, F:

0.35pF @ 1V, 1MHz

BAR9002ELSE6327XTSA1 Allgemeine Beschreibung

RF Diode PIN - Single 80V 100 mA 250 mW PG-TSSLP-2-3

Infineon Technologies Corporation Inventar

Hauptmerkmale

Low forward resistance = 3 mA and frequency>
Balanced ON / OFF mode harmonic distortion
TSSLP-2-3 package (0.62 mm x 0.32 mm x 0.31 mm) with a 0201 foot print
Pb-free, RoHS compliant and halogen free

Infineon Technologies Corporation Originalbestand

Spezifikationen

Category	Discrete Semiconductor ProductsDiodesRF Diodes	Series	-
Diode Type	PIN - Single	Voltage - Peak Reverse (Max)	80V
Current - Max	100 mA	Capacitance @ Vr, F	0.35pF @ 1V, 1MHz
Resistance @ If, F	800mOhm @ 10mA, 100MHz	Power Dissipation (Max)	250 mW
Operating Temperature	150°C (TJ)	Base Product Number	BAR9002
RHoS	yes	PBFree	yes
HalogenFree	yes

Servicerichtlinien und andere

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