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BAT6203WE6327HTSA1 +BOM

RF Diode Schottky - Single 40V 20 mA 100 mW PG-SOD323-3D

Hersteller:

Infineon Technologies Corporation
Herstellerteil #:

BAT6203WE6327HTSA1
Datenblatt:

BAT6203WE6327HTSA1 Datenblatt (PDF)
Diode Type:

Schottky - Single
Voltage - Peak Reverse (Max):

40V
Current - Max:

20 mA
Capacitance @ Vr, F:

0.6pF @ 0V, 1MHz
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an BAT6203WE6327HTSA1

BAT6203WE6327HTSA1 Allgemeine Beschreibung

RF Diode Schottky - Single 40V 20 mA 100 mW PG-SOD323-3D

Infineon Technologies Corporation Inventar

Hauptmerkmale

Pb-free (RoHS compliant) package

Infineon Technologies Corporation Originalbestand

Spezifikationen

Series	-	Diode Type	Schottky - Single
Voltage - Peak Reverse (Max)	40V	Current - Max	20 mA
Capacitance @ Vr, F	0.6pF @ 0V, 1MHz	Resistance @ If, F	-
Power Dissipation (Max)	100 mW	Operating Temperature	150°C (TJ)
Base Product Number	BAT62

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