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Siehe Technische Spezifikationen

BGU8L1X +BOM

SiGe:C Low Noise Amplifier MMIC for LTE

Hersteller:

NXP Semiconductor
Herstellerteil #:

BGU8L1X
Datenblatt:

BGU8L1X Datenblatt (PDF)
Frequency:

728MHz ~ 960MHz
P1dB:

-3dBm
Gain:

14.5dB
Noise Figure:

0.7dB
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an BGU8L1X

BGU8L1X Allgemeine Beschreibung

RF Amplifier IC LTE, WiMax 728MHz ~ 960MHz 6-XSON (1.1x0.7)

NXP Semiconductor Inventar

Hauptmerkmale

SiGe:C Low Noise Amplifier MMIC for LTE

NXP Semiconductor Originalbestand

NXP Semiconductor Inventar

Spezifikationen

Category	RF and WirelessRF Amplifiers	Series	-
Frequency	728MHz ~ 960MHz	P1dB	-3dBm
Gain	14.5dB	Noise Figure	0.7dB
RF Type	LTE, WiMax	Voltage - Supply	1.5V ~ 3.1V
Current - Supply	4.6mA	Test Frequency	880MHz
Mounting Type	Surface Mount	Base Product Number	BGU8L1

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Bewertungen und Rezensionen

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M**n 03.18.2023

flashed whitelisted bios to x230 without any problems

12

S

S**l 03.12.2021

Shipping is long. In capacity, the spread in the larger direction (almost to 2800 pf).

10

M

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Fully satisfied with the goods, delivery and seller. I recommend to all

14

M

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Everything is ok, it was about a month in daugavpils (latvia). If something goes wrong later, i will add a tip

13

Rezensionen

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