Bezahlverfahren
BLV31 +BOM
Bipolar Transistor for RF applications
TO59-
Hersteller:
Advanced Semiconductor, Inc.
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Herstellerteil #:
BLV31
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Datenblatt:
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Transistor Type:
Bipolar Power
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Technology:
Si
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Transistor Polarity:
NPN
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Operating Frequency:
224 MHz
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EDA/CAD Modelle:
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Verfügbarkeit: 7072 Stck
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Hauptmerkmale
- PG = 16.5 dB Typical at 224 MHz
- Omnigold™ Metallization System
Spezifikationen
Product Category | RF Bipolar Transistors | Transistor Type | Bipolar Power |
Technology | Si | Transistor Polarity | NPN |
Operating Frequency | 224 MHz | DC Collector/Base Gain hfe Min | 15 |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 30 V | Emitter- Base Voltage VEBO | 4 V |
Continuous Collector Current | 3 A | Minimum Operating Temperature | - 65 C |
Maximum Operating Temperature | + 200 C | Mounting Style | Through Hole |
Maximum DC Collector Current | 6 A | Pd - Power Dissipation | 7 W |
Product Type | RF Bipolar Transistors | Subcategory | Transistors |
Type | RF Bipolar Power |
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In Stock: 7.072
Minimum Order: 1
Menge. | Einzelpreis | Ext. Preis |
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1+ | - | - |
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