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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

BLX15 +BOM

RF Bipolar Transistors RF Transistor

Hersteller:

Advanced Semiconductor, Inc.
Herstellerteil #:

BLX15
Datenblatt:

BLX15 Datenblatt (PDF)
Transistor Type:

Bipolar Power
Technology:

Si
Transistor Polarity:

NPN
Operating Frequency:

28 MHz
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an BLX15

Hauptmerkmale

Gold Metalization
Emitter Ballasting

Spezifikationen

Product Category	RF Bipolar Transistors	Transistor Type	Bipolar Power
Technology	Si	Transistor Polarity	NPN
Operating Frequency	28 MHz	DC Collector/Base Gain hfe Min	15
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	55 V	Emitter- Base Voltage VEBO	4 V
Continuous Collector Current	10 A	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 200 C	Mounting Style	Through Hole
Maximum DC Collector Current	20 A	Pd - Power Dissipation	233 W
Product Type	RF Bipolar Transistors	Subcategory	Transistors
Type	RF Bipolar Power

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