Diese Website verwendet Cookies. Durch die Nutzung dieser Website stimmen Sie der Verwendung von Cookies zu. Weitere Informationen finden Sie in unseren Datenschutzrichtlinie.

Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

BPW77NA +BOM

Phototransistors TO-18 450-1080nm +/-10 deg

Hersteller:

Vishay Semiconductor Opto Division
Herstellerteil #:

BPW77NA
Datenblatt:

BPW77NA Datenblatt (PDF)
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):

70 V
Current - Collector (Ic) (Max):

50 mA
Current - Dark (Id) (Max):

100 nA
Wavelength:

850nm
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an BPW77NA

BPW77NA Allgemeine Beschreibung

Phototransistors 850nm Top View TO-206AA, TO-18-3 Metal Can

Hauptmerkmale

Package type: leaded

Package form: TO-18

Dimensions (in mm): Ø 4.7

High photo sensitivity

High radiant sensitivity

Suitable for visible and near infrared radiation

Fast response times

Angle of half sensitivity: ϕ = ± 10°

Base terminal connected

Hermetically sealed package

Lead (Pb)-free component in accordance with RoHS 2002/95/EC and WEEE 2002/96/EC

Anwendung

oDetector in electronic control and drive circuits

Spezifikationen

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	70 V	Current - Collector (Ic) (Max)	50 mA
Current - Dark (Id) (Max)	100 nA	Wavelength	850nm
Viewing Angle	20°	Power - Max	250 mW
Mounting Type	Through Hole	Orientation	Top View
Operating Temperature	-40°C ~ 125°C (TA)

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

Zahlung

Bezahlverfahren

TT/Überweisung

Paypal

Western Union

Geldgramm

Für alternative Zahlungskanäle kontaktieren Sie uns bitte unter:

[email protected]

Versand & Verpackung

Versandart

Fedex

UPS

DHL

NTN

Verpackung

AVAQ bestimmt und verpackt alle Geräte auf der Grundlage der Schutzanforderungen gegen elektrostatische Entladung (ESD) und Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL)..