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Siehe Technische Spezifikationen

BPW96A +BOM

Phototransistor IR Chip Silicon 850nm 2-Pin T-1 3/4

Hersteller:

VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
Herstellerteil #:

BPW96A
Datenblatt:

BPW96A Datenblatt (PDF)
Part Life Cycle Code:

Obsolete
Dark Current-Max:

200 nA
Mounting Feature:

THROUGH HOLE MOUNT
On-State Current-Max:

0.1 A

BPW96A Allgemeine Beschreibung

DescriptionBPW96 is a high speed and high sensitive silicon NPN epitaxial planar phototransistor in a standard T–1 (ø 5 mm) package. Due to its waterclear epoxy the device is sensitive to visible and near infrared radiation. The viewing angle of ± 20° makes it insensible to ambient straylight.Features• Fast response times• High photo sensitivity• Standard T–1 (ø 5 mm) clear plastic package• Angle of half sensitivity ϕ = ± 20°• Suitable for visible and near infrared radiation• Selected into sensitivity groupsApplications Detector in electronic control and drive circuits

Spezifikationen

Part Life Cycle Code	Obsolete	Reach Compliance Code
Dark Current-Max	200 nA	Mounting Feature	THROUGH HOLE MOUNT
On-State Current-Max	0.1 A	Operating Temperature-Max	100 °C
Operating Temperature-Min	-20 °C	Peak Wavelength	830 nm
Power Dissipation-Max	0.1 W	Response Time-Max	0.000004 s
Surface Mount	NO

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