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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

BQ4010YMA-150N +BOM

Parallel DIP NVSRAM module offering large storage capacity and efficient data transfer for a range of industries

Hersteller:

Texas Instruments
Herstellerteil #:

BQ4010YMA-150N
Datenblatt:

BQ4010YMA-150N Datenblatt (PDF)
Programmabe:

Not Verified
Memory Type:

Non-Volatile
Memory Format:

NVSRAM
Technology:

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
EDA/CAD Modelle:

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BQ4010YMA-150N Allgemeine Beschreibung

NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory IC 64Kbit Parallel 150 ns 28-DIP Module (18.42x37.72)

Spezifikationen

Series	-	Programmabe	Not Verified
Memory Type	Non-Volatile	Memory Format	NVSRAM
Technology	NVSRAM (Non-Volatile SRAM)	Memory Size	64Kbit
Memory Organization	8K x 8	Memory Interface	Parallel
Write Cycle Time - Word, Page	150ns	Access Time	150 ns
Voltage - Supply	4.5V ~ 5.5V	Operating Temperature	-40°C ~ 85°C (TA)
Mounting Type	Through Hole	Base Product Number	BQ4010

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