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Siehe Technische Spezifikationen

BQ4014YMB-120 +BOM

NVRAM 256Kx8 Nonvolatile SRAM

Hersteller:

Texas Instruments, Inc
Herstellerteil #:

BQ4014YMB-120
Datenblatt:

BQ4014YMB-120 Datenblatt (PDF)
Memory Type:

Non-Volatile
Memory Format:

NVSRAM
Technology:

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Memory Size:

2Mbit
EDA/CAD Modelle:

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BQ4014YMB-120 Allgemeine Beschreibung

NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory IC 2Mbit Parallel 120 ns 32-DIP Module (18.42x52.96)

Spezifikationen

Category	Integrated Circuits (ICs)MemoryMemory	Series	-
Memory Type	Non-Volatile	Memory Format	NVSRAM
Technology	NVSRAM (Non-Volatile SRAM)	Memory Size	2Mbit
Memory Organization	256K x 8	Memory Interface	Parallel
Write Cycle Time - Word, Page	120ns	Access Time	120 ns
Voltage - Supply	4.5V ~ 5.5V	Operating Temperature	0°C ~ 70°C (TA)
Mounting Type	Through Hole	Base Product Number	BQ4014
Product Category:	NVRAM	Interface Type:	Parallel
Memory Size:	2 Mbit	Organization:	256 k x 8
Data Bus Width:	8 bit	Access Time:	120 ns
Supply Voltage - Max:	5.5 V	Supply Voltage - Min:	4.5 V
Operating Supply Current:	110 mA	Minimum Operating Temperature:	0 C
Maximum Operating Temperature:	+ 70 C	Packaging:	Tube
Height:	9.4 mm	Length:	42.8 mm
Mounting Style:	Through Hole	Operating Supply Voltage:	5 V
Product Type:	NVRAM	Factory Pack Quantity:	1
Subcategory:	Memory & Data Storage	Type:	NVSRAM
Width:	18.42 mm

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