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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

BQ4013YMA-120 +BOM

128k x 8 Non-Volatile RAM memory module

Hersteller:

Texas Instruments
Herstellerteil #:

BQ4013YMA-120
Datenblatt:

BQ4013YMA-120 Datenblatt (PDF)
Interface Type:

Parallel
Memory Size:

1 Mbit
Organization:

128 k x 8
Data Bus Width:

8 bit
EDA/CAD Modelle:

Fordern Sie kostenlose CAD-Modelle für an BQ4013YMA-120

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Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

Tel: +852 95804164

BQ4013YMA-120 Allgemeine Beschreibung

With support for write protection of individual memory pages, the BQ4013YMA-120 provides added security against unintentional data modification, making it a reliable choice for applications where data integrity is paramount. Whether used in consumer electronics, industrial automation, or automotive systems, this EEPROM offers the performance and robustness required for demanding environments

Hauptmerkmale

Advanced power management
Fast read-write performance
Supports industrial communication protocols
Low power consumption during sleep mode
High security with password protection
Flexible data organization and management

Anwendung

Electronic gadgets
Automotive tech
Industrial automation
Medical equipment
Data backup solutions

Spezifikationen

Product Category	NVRAM	Interface Type	Parallel
Memory Size	1 Mbit	Organization	128 k x 8
Data Bus Width	8 bit	Access Time	120 ns
Supply Voltage - Max	5.5 V	Supply Voltage - Min	4.5 V
Operating Supply Current	50 mA	Minimum Operating Temperature	0 C
Maximum Operating Temperature	+ 70 C	Series	BQ4013Y
Height	9.4 mm	Length	42.8 mm
Mounting Style	Through Hole	Operating Supply Voltage	5 V
Product Type	NVRAM	Factory Pack Quantity	12
Subcategory	Memory & Data Storage	Type	NVSRAM
Width	18.42 mm

Servicerichtlinien und andere

After-Sales- und Abwicklungsbezogen

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AVAQ bestimmt und verpackt alle Geräte auf der Grundlage der Schutzanforderungen gegen elektrostatische Entladung (ESD) und Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL)..