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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

BSP170P +BOM

P-Channel MOSFET with a 60V voltage rating and 1.9A current capacity in SOT223 package

Hersteller:

Siemens
Herstellerteil #:

BSP170P
Datenblatt:

BSP170P Datenblatt (PDF)
IDpuls Max:

-7.6 A
VGS(th) Max:

-4.0 V
VGS(th) Min:

-2.1 V
Ptot Max:

1.8 mW
EDA/CAD Modelle:

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BSP170P Allgemeine Beschreibung

The BSP170P by Infineon Technologies is a powerhouse in the realm of Power MOSFET transistors, offering a versatile solution for various switching applications. With a maximum drain-source voltage of 100V and a continuous drain current of 2.5A, this MOSFET is well-equipped to handle high-current scenarios with ease. Additionally, its low threshold voltage of 2V ensures efficient performance in power supplies and motor control applications

Spezifikationen

IDpuls max	-7.6 A	VGS(th) max	-4.0 V
VGS(th) min	-2.1 V	Ptot max	1.8 mW
VDS max	-60.0 V	Polarity	P
Mounting	SMD	Mode	Enhancement
Special Features	Small Power	RDS (on) max	300.0 mΩ
ID max	1.9 A	Operating Temperature max	150.0 °C

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