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Die Bilder dienen nur als Referenz,

Siehe Technische Spezifikationen

CM300DU-12NFH +BOM

High-frequency dual IGBT module

Hersteller:

Mitsubishi Electronics
Herstellerteil #:

CM300DU-12NFH
Datenblatt:

CM300DU-12NFH Datenblatt (PDF)
Product:

IGBT Silicon Modules
Configuration:

Dual
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage:

2 V
EDA/CAD Modelle:

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CM300DU-12NFH Allgemeine Beschreibung

In conclusion, the CM300DU-12NFH is a versatile and reliable dual IGBT power module that delivers exceptional performance in a variety of high-power applications. Its innovative design, robust features, and efficient operation make it a top choice for industries seeking optimal power solutions

Spezifikationen

Product Category:	IGBT Modules	Product:	IGBT Silicon Modules
Configuration:	Dual	Collector- Emitter Voltage VCEO Max:	600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage:	2 V	Continuous Collector Current at 25 C:	300 A
Gate-Emitter Leakage Current:	500 nA	Pd - Power Dissipation:	780 W
Minimum Operating Temperature:	- 40 C	Maximum Operating Temperature:	+ 150 C
Product Type:	IGBT Modules	Factory Pack Quantity:	10
Subcategory:	IGBTs

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