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CSD19536KTT +BOM

Product CSD19536KTT is a NexFET™ power MOSFET, featuring an N-channel design with a voltage rating of 100V

Hersteller:

Texas Instruments
Herstellerteil #:

CSD19536KTT
Datenblatt:

CSD19536KTT Datenblatt (PDF)
REACH:

Details
Technology:

Si
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

N-Channel
EDA/CAD Modelle:

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Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

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CSD19536KTT Allgemeine Beschreibung

N-Channel 100 V 200A (Ta) 375W (Tc) Surface Mount TO-263 (DDPAK-3)

Hauptmerkmale

AVALANCHE RATED

Anwendung

SWITCHING

Spezifikationen

Product Category	MOSFET	REACH	Details
Technology	Si	Mounting Style	SMD/SMT
Transistor Polarity	N-Channel	Number of Channels	1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	100 V	Id - Continuous Drain Current	272 A
Rds On - Drain-Source Resistance	2.4 mOhms	Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	2.1 V	Qg - Gate Charge	118 nC
Minimum Operating Temperature	- 55 C	Maximum Operating Temperature	+ 175 C
Pd - Power Dissipation	375 W	Channel Mode	Enhancement
Tradename	NexFET	Series	CSD19536KTT
Configuration	Single	Fall Time	6 ns
Forward Transconductance - Min	329 S	Height	4.7 mm
Length	9.25 mm	Moisture Sensitive	Yes
Product Type	MOSFET	Rise Time	8 ns
Factory Pack Quantity	500	Subcategory	MOSFETs
Transistor Type	1 N-Channel	Typical Turn-Off Delay Time	32 ns
Typical Turn-On Delay Time	13 ns	Width	10.26 mm
Unit Weight	0.077603 oz

Servicerichtlinien und andere

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