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Siehe Technische Spezifikationen

CY15B102QN-50SXET +BOM

FRAM (Ferroelectric RAM) Memory IC 2Mbit SPI 50 MHz 8 ns 8-SOIC

Hersteller:

Infineon Technologies Corporation
Herstellerteil #:

CY15B102QN-50SXET
Datenblatt:

CY15B102QN-50SXET Datenblatt (PDF)
Series:

Automotive, AEC-Q100, F-RAM™
Memory Type:

Non-Volatile
Memory Format:

FRAM
Technology:

FRAM (Ferroelectric RAM)

Email: [email protected]

Skype: live:.cid.ab6b29428937b76

Tel: +852 95804164

CY15B102QN-50SXET Allgemeine Beschreibung

FRAM (Ferroelectric RAM) Memory IC 2Mbit SPI 50 MHz 8 ns 8-SOIC

Infineon Technologies Corporation Inventar

Infineon Technologies Corporation Originalbestand

Spezifikationen

Category	Integrated Circuits (ICs)MemoryMemory	Series	Automotive, AEC-Q100, F-RAM™
Memory Type	Non-Volatile	Memory Format	FRAM
Technology	FRAM (Ferroelectric RAM)	Memory Size	2Mbit
Memory Organization	256K x 8	Memory Interface	SPI
Clock Frequency	50 MHz	Write Cycle Time - Word, Page	-
Access Time	8 ns	Voltage - Supply	1.8V ~ 3.6V
Operating Temperature	-40°C ~ 125°C (TA)	Mounting Type	Surface Mount
RHoS	yes	PBFree	yes
HalogenFree	yes	feature-organization	256Kx8
feature-process-technology		feature-minimum-operating-supply-voltage-v	1.8
feature-maximum-access-time-ns	9	feature-maximum-operating-supply-voltage-v	3.6
feature-maximum-operating-current-ma	8	feature-packaging	Tape and Reel
feature-rad-hard		feature-pin-count	8
feature-cecc-qualified		feature-esd-protection
feature-military	No	feature-aec-qualified	Yes
feature-aec-qualified-number	AEC-Q100	feature-auto-motive	Yes
feature-p-pap		feature-eccn-code	3A991.b.1.b.2
feature-svhc		feature-svhc-exceeds-threshold	No

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